參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V2546SA100BGI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述: 128K X 36 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
文件頁(yè)數(shù): 5/28頁(yè)
文件大?。?/td> 1004K
代理商: IDT71V2546SA100BGI
6.42
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
5
Pin Configuration 128K x 36
NOTES:
1. Pins 14, 16 and 66 do not have to be connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
V
IH
.
2. Pins 83 and 84 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
3. Pin 64 does not have to be connected directly to V
SS
as long as the input voltage is
V
IL
; on the latest die revision this
pin supports ZZ (sleep mode).
Top View
100 TQFP
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90
87 86 85 84 83 82 81
89 88
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
A
6
A
7
C
1
C
2
B
B
B
B
C
2
V
D
V
S
C
R
W
C
O
A
L
N
(
N
(
A
8
A
9
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
N
L
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
V
D
V
S
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
I/O
31
I/O
P4
I/O
30
V
DDQ
V
SS
I/O
29
I/O
28
I/O
27
I/O
26
V
SS
V
DDQ
I/O
25
I/O
24
V
SS
V
DD
V
DD
(1)
I/O
23
V
DD
(1)
I/O
22
V
DDQ
V
SS
I/O
21
I/O
20
I/O
19
I/O
18
V
SS
V
DDQ
I/O
17
I/O
16
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
I/O
14
V
DDQ
V
SS
I/O
13
I/O
12
I/O
11
I/O
10
V
SS
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
V
SS
V
DD
(1)
V
DD
V
SS/ZZ
(3)
I/O
7
I/O
6
V
DDQ
V
SS
I/O
5
I/O
4
I/O
3
I/O
2
V
SS
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
I/O
P1
5294 drw 02
I/O
15
I/O
P3
A
1
A
1
I/O
P2
,
N
N
N
Grade
Temperature
(1)
V
SS
V
DD
V
DDQ
Commercial
0°C to +70°C
0V
3.3V±5%
2.5V±5%
Industrial
-40°C to +85°C
0V
3.3V±5%
2.5V±5%
5294 tbl 05
NOTE:
1. T
A
is the "instant on" case temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2546SA100BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA100BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA100PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA100PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA133BG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V2546XS150BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V2546XS150BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤(pán)
IDT71V2546XS150PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI
IDT71V2546XS150PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI
IDT71V2548S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040