參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V2546SA100PFI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 128K的× 36，256 × 18 3.3同步ZBT SRAM的2.5VI / O的脈沖計(jì)數(shù)器輸出流水線
文件頁(yè)數(shù)： 16/28頁(yè)
文件大小： 1004K
代理商： IDT71V2546SA100PFI
6.42
16
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V
DD
= 3.3V±5%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
NOTES:
1. t
F
= 1/t
CYC
.
2. Measured as HIGH above 0.6V
DDQ
and LOW below 0.4V
DDQ
.
3. Transition is measured ±200mV fromsteady-state.
4. These parameters are guaranteed with the AC load (Figure 1) by device characterization. They are not production tested.
5. To avoid bus contention, the output buffers are designed such that t
CHZ
(device turn-off) is about 1ns faster than
t
CLZ
(device turn-on) at a given temperature
and voltage.
The specs as shown do not imply bus contention because t
CLZ
is a Mn. parameter that is worse case at totally different test conditions (0 deg. C, 3.465V) than t
CHZ
,
which is a Max. parameter (worse case at 70 deg. C, 3.135V).
150MHz
133MHz
100MHz
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
t
CYC
Clock Cycle Time
6.7
____
7.5
____
10
____
ns
t
F
(1)
Clock Frequence
____
150
____
133
____
100
MHz
t
CH
(2)
Clock High Pulse Width
2.0
____
2.2
____
3.2
____
ns
t
CL
(2)
Clock Low Pulse Width
2.0
____
2.2
____
3.2
____
ns
Output Parameters
t
CD
Clock High to Valid Data
____
3.8
____
4.2
____
5
ns
t
CDC
Clock High to Data Change
1.5
____
1.5
____
1.5
____
ns
t
CLZ
(3,4,5)
Clock High to Output Active
1.5
____
1.5
____
1.5
____
ns
t
CHZ
(3,4,5)
Clock High to Data High-Z
1.5
3
1.5
3
1.5
3.3
ns
t
OE
Output Enable Access Time
____
3.8
____
4.2
____
5
ns
t
OLZ
(3,4)
Output Enable Low to Data Active
0
____
0
____
0
____
ns
t
OHZ
(3,4)
Output Enable High to Data High-Z
____
3.8
____
4.2
____
5
ns
Set Up Times
t
SE
Clock Enable Setup Time
1.5
____
1.7
____
2.0
____
ns
t
SA
Address Setup Time
1.5
____
1.7
____
2.0
____
ns
t
SD
Data In Setup Time
1.5
____
1.7
____
2.0
____
ns
t
SW
Read/Write (R/
W
) Setup Time
1.5
____
1.7
____
2.0
____
ns
t
SADV
Advance/Load (ADV/
LD
) Setup Time
1.5
____
1.7
____
2.0
____
ns
t
SC
Chip Enable/Select Setup Time
1.5
____
1.7
____
2.0
____
ns
t
SB
Byte Write Enable (
BW
x) Setup Time
1.5
____
1.7
____
2.0
____
ns
Hold Times
t
HE
Clock Enable Hold Time
0.5
____
0.5
____
0.5
____
ns
t
HA
Address Hold Time
0.5
____
0.5
____
0.5
____
ns
t
HD
Data In Hold Time
0.5
____
0.5
____
0.5
____
ns
t
HW
Read/Write (R/
W
) Hold Time
0.5
____
0.5
____
0.5
____
ns
t
HADV
Advance/Load (ADV/
LD
) Hold Time
0.5
____
0.5
____
0.5
____
ns
t
HC
Chip Enable/Select Hold Time
0.5
____
0.5
____
0.5
____
ns
t
HB
Byte Write Enable (
BW
x) Hold Time
0.5
____
0.5
____
0.5
____
ns
5294 tbl 24
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2546SA133BG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA133BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA133BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA133BQI 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IDT71V2546SA133PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V2546XS150BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V2546XS150BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT71V2546XS150PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2546XS150PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2548S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*