參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V2546SA150BGI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 56pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 500V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Tape & Reel; Qty per Container: 1500
中文描述： 128K的× 36，256 × 18 3.3同步ZBT SRAM的2.5VI / O的脈沖計(jì)數(shù)器輸出流水線
文件頁(yè)數(shù)： 10/28頁(yè)
文件大小： 1004K
代理商： IDT71V2546SA150BGI
6.42
10
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Interleaved Burst Sequence Table
(
LBO
=V
DD
)
Linear Burst Sequence Table
(
LBO
=V
SS
)
Functional Timing Diagram
(1)
NOTES:
1. This assumes
CEN
,
CE
1
, CE
2
,
CE
2
are all true.
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data
delay fromthe rising edge of clock.
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
n+29
A29
C29
D/Q27
ADDRESS
(2)
(A0 - A16)
CONTROL
(2)
(R/
W
, ADV/
LD
,
BW
x)
DATA
(2)
I/O [0:31], I/O P[1:4]
CYCLE
CLOCK
n+30
A30
C30
D/Q28
n+31
A31
C31
D/Q29
n+32
A32
C32
D/Q30
n+33
A33
C33
D/Q31
n+34
A34
C34
D/Q32
n+35
A35
C35
D/Q33
n+36
A36
C36
D/Q34
n+37
A37
C37
D/Q35
5294 drw 03
,
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
0
0
0
1
1
0
1
1
Second Address
0
1
1
0
1
1
0
0
Third Address
1
0
1
1
0
0
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
0
0
0
1
1
0
5294 tbl 11
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
0
0
0
1
1
0
1
1
Second Address
0
1
0
0
1
1
1
0
Third Address
1
0
1
1
0
0
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
1
0
0
1
0
0
5294 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2546SA150BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA150BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA150PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546SA150PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2548S 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
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參數(shù)描述
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IDT71V2546XS150BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT71V2546XS150PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2546XS150PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2548S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040
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