參數(shù)資料
型號: IDT71V2548SA133BQ
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述: 256K X 18 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, FBGA-165
文件頁數(shù): 7/28頁
文件大?。?/td> 1004K
代理商: IDT71V2548SA133BQ
6.42
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
7
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE
2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
CEN
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
NC/ZZ
(5)
U
V
DDQ
NC/TMS
(3)
NC/TDI
(3)
NC/TCK
(3)
NC/TDO
(3)
NC/
TRST
(3,4)
Top View
V
DDQ
5294 drw 13a
V
DD(1)
NC
NC(2)
CE
1
NC(2)
V
DD(1)
V
DD(1)
,
NC
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
NC(2)
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
P1
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
V
SS
NC
I/O
7
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
6
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
NC
I/O
5
H
I/O
11
NC
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
4
NC
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
3
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
2
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
CEN
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
1
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
0
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
NC/ZZ
(5)
U
V
DDQ
NC/TMS
(3)
NC/TDI
(3)
NC/TCK
(3)
NC/TDO
(3)
NC/
TRST
(3,4)
Top View
V
DDQ
5294 drw 13b
NC
DD(1)
V
V
SS
V
SS
CE
1
NC(2)
V
DD(1)
V
DD(1)
,
NC
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
NOTES:
1. J3, J5, and R5 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
V
IH
.
2. G4 and A4 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
5. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) on the latest die revision.
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V2548SA133BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2548SA133PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2548SA133PFI Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 5600pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V2546S100PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546S100PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V2556S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V2556S100BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V2556S100PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2556S100PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2556S100PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤