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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V2548SA133BQI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1004K |
| 代理商： | IDT71V2548SA133BQI |
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6.42
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram
3
Clk
D
Q
D
Q
D
Q
Address A [0:16]
Control Logic
Address
Control
DI
DO
I
5294 drw 01a
Clock
Data I/O [0:31],
I/O P[1:4]
D
Q
C
Output Register
Mux
Sel
Gate
OE
CE
1, CE2,
CE
2
R/
W
CEN
ADV/
LD
BW
x
LBO
128Kx36 BIT
MEMORY ARRAY
,
JTAG
(SA Version)
TMS
TDI
TCK
(optional)
TDO
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V2548SA133PF | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V2548SA133PFI | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 5600pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
| IDT71V2546S100PF | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V2546S100PFI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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