參數(shù)資料
型號： IDT71V2548SA150BGI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 128K的× 36，256 × 18 3.3同步ZBT SRAM的2.5VI / O的脈沖計數(shù)器輸出流水線
文件頁數(shù)： 13/28頁
文件大小： 1004K
代理商： IDT71V2548SA150BGI
6.42
IDT71V2546, IDT71V2548, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation with Clock Enable Used
(1)
13
Write Operation with Clock Enable Used
(1)
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock n+1 Ignored
n+2
A
1
H
L
L
L
X
X
X
Clock Valid
n+3
X
X
X
X
H
X
L
Q
0
Clock Ignored. Data Q
0
is on the bus.
n+4
X
X
X
X
H
X
L
Q
0
Clock Ignored. Data Q
0
is on the bus.
n+5
A
2
H
L
L
L
X
L
Q
0
Address A
0
Read out (bus trans.)
n+6
A
3
H
L
L
L
X
L
Q
1
Address A
1
Read out (bus trans.)
n+7
A
4
H
L
L
L
X
L
Q
2
Address A
2
Read out (bus trans.)
5294 tbl 17
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
L
L
L
L
L
X
X
Address and Control meet setup.
n+1
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock n+1 Ignored.
n+2
A
1
L
L
L
L
L
X
X
Clock Valid.
n+3
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock Ignored.
n+4
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock Ignored.
n+5
A
2
L
L
L
L
L
X
D
0
Write Data D
0
n+6
A
3
L
L
L
L
L
X
D
1
Write Data D
1
n+7
A
4
L
L
L
L
L
X
D
2
Write Data D
2
5294 tbl 18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2548SA150BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2548SA150BQI Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 5600pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 200V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V2548SA150PF Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 5600pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V2548SA150PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2546S150BQI 20V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail
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參數(shù)描述
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IDT71V2556S100PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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