參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V2556S166BG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 22/28頁(yè)
文件大?。?/td> 1019K
代理商： IDT71V2556S166BG
6.42
22
IDT71V2556, IDT71V2558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
JTAG Interface Specification (SA Version only)
TCK
Device Inputs
(1)
/
TDI/TMS
Device Outputs
(2)
/
TDO
TRST
(
3)
t
JCD
t
JDC
t
JRST
t
JS
t
JH
t
JCYC
t
JRSR
t
JF
t
JCL
t
JR
t
JCH
M4875 drw 01
x
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Units
t
J CYC
JTAG Clock Input Period
100
____
ns
t
JCH
JTAG Clock HIGH
40
____
ns
t
JCL
JTAG Clock Low
40
____
ns
t
JR
JTAG Clock Rise Time
____
5
(1)
ns
t
JF
JTAG Clock Fall Time
____
5
(1)
ns
t
JRST
JTAG Reset
50
____
ns
t
J RSR
JTAG Reset Recovery
50
____
ns
t
JCD
JTAG Data Output
____
20
ns
t
JDC
JTAG Data Output Hold
0
____
ns
t
JS
JTAG Setup
25
____
ns
t
JH
JTAG Hold
25
____
ns
I4875 tbl 01
Register Name
Bit Size
Instruction (IR)
4
Bypass (BYR)
1
JTAG Identification (JIDR)
32
Boundary Scan (BSR)
Note (1)
I4875 tbl 03
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS and
TRST
.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
3. During power up,
TRST
could be driven low or not be used since the JTAG circuit resets automatically.
TRST
is an optional JTAG reset.
NOTE:
1. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available
by contacting your local IDT sales representative.
JTAG AC Electrical
Characteristics
(1,2,3,4)
Scan Register Sizes
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. AC Test Load (Fig. 1) on external output signals.
3. Refer to AC Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at any speed specified in this datasheet.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2556S166BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2556S166BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2556S166PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2556S166PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V2556S200BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
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參數(shù)描述
IDT71V2556S166BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
IDT71V2556S166PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI
IDT71V2556S166PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V3557SA75BGI
IDT71V2556S166PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
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