• <form id="powmj"></form>
    <menuitem id="powmj"></menuitem>
    參數(shù)資料
    型號: IDT71V2556SA100BQI
    廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
    元件分類: DRAM
    英文描述: 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
    中文描述: 128K X 36 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA165
    封裝: 13 X 15 MM, FBGA-165
    文件頁數(shù): 24/28頁
    文件大小: 1019K
    代理商: IDT71V2556SA100BQI
    6.42
    24
    IDT71V2556, IDT71V2558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
    with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
    100 Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP) Package Diagram Outline
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    IDT71V2556SA100PF Ceramic Conformally Coated / Radial &apos;Standard &amp; High Voltage Golden Max&apos;; Capacitance [nom]: 5600pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 200V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200&quot; Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300&quot; x 0.390&quot; x 0.200&quot;; Container: Bag; Qty per Container: 250
    IDT71V2556SA100PFI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
    IDT71V2556SA133BG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
    IDT71V2556SA133BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
    IDT71V2556SA133BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
    IDT71V2556SA133BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
    IDT71V2556SA133BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
    IDT71V2556SA133BGG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 119BGA
    IDT71V2556SA133BGG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 119BGA
    IDT71V2556SA133BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)