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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V2558S200PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 3.2 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/28頁(yè) |
| 文件大小： | 1019K |
| 代理商： | IDT71V2558S200PF |
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6.42
IDT71V2556, IDT71V2558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
7
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE
2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
CEN
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
NC/ZZ
(5)
U
V
DDQ
NC/TMS
(3)
NC/TDI
(3)
NC/TCK
(3)
NC/TDO
(3)
NC/
TRST
(3,4)
V
DDQ
4875 drw 13a
V
DD(1)
NC
NC(2)
CE
1
NC(2)
V
DD(1)
V
DD(1)
,
NC
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
NC(2)
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
P1
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
V
SS
NC
I/O
7
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
6
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
NC
I/O
5
H
I/O
11
NC
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
4
NC
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
3
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
2
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
CEN
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
1
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
0
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
NC/ZZ
(5)
U
V
DDQ
NC/TMS
(3)
NC/TDI
(3)
NC/TCK
(3)
NC/TDO
(3)
NC/
TRST
(3,4)
V
DDQ
Top View
4875 drw 13b
NC
DD(1)
V
V
SS
V
SS
CE
1
NC(2)
V
DD(1)
V
DD(1)
,
NC
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
Top View
NOTES:
1. J3, J5, and R5 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
2. G4 and A4 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
5. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) on the latest die revision.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA12PZ | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA10PZ | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA10TP | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA10Y | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V2558S200PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V2559S75BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V2559S75BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V2559S75PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V2559S75PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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