參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V256SA10YG8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
中文描述： 32K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 482K
代理商： IDT71V256SA10YG8
6.42
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
ADDRESS
CS
DATA
OUT
OE
3101 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
(2)
t
CLZ
t
CHZ
(2)
t
OE
t
OLZ
(2)
t
OHZ(2)
DATA VALID
,
Timing Waveform of Read Cycle No. 2
(1,2,4)
Timing Waveform of Read Cycle No. 3
(1,3,4)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with
CS
transition LOW.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
DATA
OUT
CS
3101 drw 08
t
ACS
(5)
t
CLZ
(5)
CHZ
t
DATA VALID
,
ADDRESS
DATA
OUT
3101 drw 07
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IDT71V256SA10YGI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA10YI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA10YI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA12PZ 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
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