- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377334 > IDT71V256SA12PZ (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V256SA12PZ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| 中文描述： | 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, TSOP1-28 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | IDT71V256SA12PZ |
3
IDT71V256SA
3.3V CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
INDUSTRIAL AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= 3.3V
±
0.3V
IDT71V256SA
Test Condition
V
CC
= Max., V
IN
= GND to V
CC
V
CC
= Max.,
CS
= V
IH,
V
OUT
= GND to V
CC
I
OL
= 8mA, V
CC
= Min.
I
OH
= –4mA, V
CC
= Min.
Symbol
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
Parameter
Min.
—
—
—
2.4
Typ.
—
—
—
—
Max.
Unit
μ
A
μ
A
V
V
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
2
2
0.4
—
3101 tbl 08
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1, 2)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
Symbol
I
CC
Dynamic Operating Current
CS
≤
V
IL
, Outputs
Open, V
CC
= Max., f = f
MAX(2)
I
SB
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS
= V
IH
, V
CC
= Max., Outputs Open, f = f
MAX(2)
I
SB1
Full Standby Power Supply Current (CMOS Level)
CS
≥
V
HC
, V
CC
= Max., Outputs Open, f = 0
(2)
,
V
IN
≤
V
LC
or V
IN
≥
V
HC
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f
MAX
= 1/t
RC
, only address inputs cycling at fmax; f = 0 means that no inputs are cycling.
3. Commercial temperature range only.
Parameter
71V256SA10
(3)
71V256SA12
(3)
71V256SA15 71V256SA20
(3)
Unit
100
90
85
85
mA
20
20
20
20
mA
2
2
2
2
mA
3101 tbl 07
Figure 1. AC Test Load
Figure 2. AC Test Load
(for t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
)
*Includes scope and jig capacitances
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
3101 tbl 09
3101 drw 04
320
30pF*
350
DATA
OUT
3.3V
3101 drw 05
320
5pF*
350
DATA
OUT
3.3V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA10PZ | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA10TP | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA10Y | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA12TP | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA12PZ8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA12PZG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| IDT71V256SA12PZG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
| IDT71V256SA12PZGI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V256SA12PZGI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。