參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V256SA12PZGI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
中文描述： 32K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO28
封裝： ROHS COMPLIANT, TSOP1-28
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 482K
代理商： IDT71V256SA12PZGI8
2
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configurations
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Grade
Temperature
Absolute Maximum Ratings
(1)
Symbol
Rating
Capacitance
(T
A
= +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
Symbol
Parameter
(1)
Truth Table
(1)
WE
DIP/SOJ
Top View
Pin Descriptions
Name
TSOP
Top View
3101 drw 02
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I/O
0
I/O
1
I/O
2
GND
1
2
3
4
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
SO28-5
28
27
26
25
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
A
14
,
3101 drw 03
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
10
CS
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
I/O
3
GND
I/O
2
I/O
1
I/O
0
A
0
A
1
A
2
SO28-8
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
,
Description
A
0
- A
14
Addresses
I/O
0
- I/O
7
Data Input/Output
CS
Chip Select
WE
Write Enable
OE
Output Enable
GND
Ground
V
CC
Power
3101 tbl 01
NOTE:
1. H = V
IH
, L = V
IL
, X = Dont Care
CS
OE
I/O
Function
X
H
X
High-Z
Standby (I
SB
)
X
V
HC
X
High-Z
Standby (I
SB1
)
H
L
H
High-Z
Output Disable
H
L
L
D
OUT
Read
L
L
X
D
IN
Write
3101 tbl 02
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximumrating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. Input, Output, and I/O termnals; 4.6V maximum
Com'l.
Unit
V
CC
Supply Voltage
Relative to GND
-0.5 to +4.6
V
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
Relative to GND
-0.5 to V
CC
+0.5
V
T
BIAS
Temperature Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage Temperature
-55 to +125
o
C
P
T
Power Dissipation
1.0
W
I
OUT
DC Output Current
50
mA
3101 tbl 03
NOTE:
1. This parameter is determned by device characterization, but is not production
tested.
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
7
pF
3101 tb 04
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V ± 0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V ± 0.3V
3101 tbl 05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V256SA12YGI8 Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
IDT71V2577SA75BQ 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2577S80PFI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2577S85BG 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2577S85BGI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
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參數(shù)描述
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