- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377334 > IDT71V256SA15YGI8 (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V256SA15YGI8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
| 中文描述： | 32K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | IDT71V256SA15YGI8 |
6.42
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
NOTE:
1. V
IL
(mn.) = –2.0V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage - Inputs
2.0
____
5.0
V
V
IH
Input High Voltage - I/O
2.0
____
V
CC
+0.3
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
3101 tbl 06
DC Electrical Characteristics
(V
CC
= 3.3V± 0.3V)
DC Electrical Characteristics
(1)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V, Commercial and Industrial Temperture Ranges)
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. f
MAX
= 1/t
RC
, only address inputs cycling at f
MAX
; f = 0 means that no inputs are cycling.
Symbol
Parameter
71V256SA10
71V256SA12
71V256SA15
71V256SA20
Unit
I
CC
Dynamc Operating Current
CS
< V
IL
, Outputs
Open, V
CC
= Max., f = f
MAX
(2)
100
90
85
85
mA
I
SB
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS
= V
IH
, V
CC
= Max., Outputs Open, f = f
MAX
(2)
20
20
20
20
mA
I
SB1
Full Standby Power Supply Current (CMOS Level)
CS
> V
HC
, V
CC
= Max., Outputs Open, f = 0
(2)
,
V
IN
< V
LC
or V
IN
> V
HC
2
2
2
2
mA
3101 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Conditions
IDT71V256SA
Unit
Min.
Typ.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
V
CC
= Max., V
IN
=
GND to V
CC
___
___
2
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
CC
= Max.,
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND to V
CC
___
___
2
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= 8mA, V
CC
= Mn.
___
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA, V
CC
= Min.
2.4
___
___
V
3101 tbl 08
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA20PZG8 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
| IDT71V256SA20PZGI8 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
| IDT71V256SA20YG8 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
| IDT71V256SA20YGI8 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
| IDT71V256SA10PZG8 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA15YI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA15YI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA20PZ | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA20PZ8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA20PZG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。