- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377334 > IDT71V256SA15YI (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V256SA15YI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| 中文描述： | 32K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | IDT71V256SA15YI |
4
IDT71V256SA
3.3V CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
INDUSTRIAL AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
71V256SA10
(2)
Max.
71V256SA12
(2)
Min.
71V256SA15
Min.
71V256SA20
(2)
Min.
Symbol
Read Cycle
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
Write Cycle
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
Parameter
Min.
Max.
Max.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Select to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enable to Output in Low-Z
Output Disable to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
10
—
—
5
0
—
3
2
3
—
10
10
—
8
6
—
6
—
12
—
—
5
0
—
3
2
3
—
12
12
—
8
6
—
6
—
15
—
—
5
0
—
0
0
3
—
15
15
—
9
7
—
7
—
20
—
—
5
0
—
0
0
3
—
20
20
—
10
8
—
8
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle Time
Address Valid to End-of-Write
Chip Select to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
Output Active from End-of-Write
Write Enable to Output in High-Z
10
9
9
0
9
0
6
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC test load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
2. Commercial temperature range only.
3101 tbl 10
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1
(1)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Transition is measured
±
200mV from steady state.
ADDRESS
CS
DATA
OUT
OE
3101 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
(2)
t
CLZ
t
CHZ(2)
t
OE
t
OLZ
(2)
t
OHZ(2)
DATA VALID
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V256SB12PZ | 3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SB12Y | 3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA20PZ | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA20TP | LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
| IDT71V256SA20Y | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 680pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA15YI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA20PZ | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA20PZ8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA20PZG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V256SA20PZG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。