參數資料
型號： IDT71V256SA20TP
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)
中文描述： 32K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDIP28
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： IDT71V256SA20TP
4
IDT71V256SA
3.3V CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
INDUSTRIAL AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
71V256SA10
(2)
Max.
71V256SA12
(2)
Min.
71V256SA15
Min.
71V256SA20
(2)
Min.
Symbol
Read Cycle
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
Write Cycle
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
Parameter
Min.
Max.
Max.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Select to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enable to Output in Low-Z
Output Disable to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
10
—
—
5
0
—
3
2
3
—
10
10
—
8
6
—
6
—
12
—
—
5
0
—
3
2
3
—
12
12
—
8
6
—
6
—
15
—
—
5
0
—
0
0
3
—
15
15
—
9
7
—
7
—
20
—
—
5
0
—
0
0
3
—
20
20
—
10
8
—
8
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle Time
Address Valid to End-of-Write
Chip Select to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
Output Active from End-of-Write
Write Enable to Output in High-Z
10
9
9
0
9
0
6
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC test load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
2. Commercial temperature range only.
3101 tbl 10
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1
(1)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Transition is measured
±
200mV from steady state.
ADDRESS
CS
DATA
OUT
OE
3101 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
(2)
t
CLZ
t
CHZ(2)
t
OE
t
OLZ
(2)
t
OHZ(2)
DATA VALID
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PDF描述
IDT71V256SA20Y Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 680pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V256SB 3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT)
IDT71V256SB15PZ 3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT)
IDT71V256SB15Y 3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT)
IDT71V256SB20PZ Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 6800pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-1%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250
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