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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V256SA20YG8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
| 中文描述： | 32K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 482K |
| 代理商： | IDT71V256SA20YG8 |
6.42
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
ADDRESS
CS
DATA
OUT
OE
3101 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
(2)
t
CLZ
t
CHZ
(2)
t
OE
t
OLZ
(2)
t
OHZ(2)
DATA VALID
,
Timing Waveform of Read Cycle No. 2
(1,2,4)
Timing Waveform of Read Cycle No. 3
(1,3,4)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with
CS
transition LOW.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
DATA
OUT
CS
3101 drw 08
t
ACS
(5)
t
CLZ
(5)
CHZ
t
DATA VALID
,
ADDRESS
DATA
OUT
3101 drw 07
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
,
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PDF描述 |
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