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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V25761S200BG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 526K |
| 代理商： | IDT71V25761S200BG |
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6.42
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
0
0
0
1
1
0
1
1
Second Address
0
1
0
0
1
1
1
0
Third Address
1
0
1
1
0
0
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
1
0
0
1
0
0
5297 tbl 14
Linear Burst Sequence Table (
LBO
=V
SS
)
Synchronous Write Function Truth Table
(1, 2)
Asynchronous Truth Table
(1)
Interleaved Burst Sequence Table (
LBO
=V
DD
)
NOTES:
1. L = V
IL
, H = V
IH
, X = Dont Care.
2.
BW
3
and
BW
4
are not applicable for the IDT71V2578.
3. Multiple bytes may be selected during the same cycle.
NOTES:
1. L = V
IL
, H = V
IH
, X = Dont Care.
2. Synchronous function pins must be biased appropriately to satisfy operation requirements.
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state.
Operation
GW
BWE
BW
1
BW
2
BW
3
BW
4
Read
H
H
X
X
X
X
Read
H
L
H
H
H
H
Write all Bytes
L
X
X
X
X
X
Write all Bytes
H
L
L
L
L
L
Write Byte 1
(3)
H
L
L
H
H
H
Write Byte 2
(3)
H
L
H
L
H
H
Write Byte 3
(3)
H
L
H
H
L
H
Write Byte 4
(3)
H
L
H
H
H
L
5297 tbl 12
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
0
0
0
1
1
0
1
1
Second Address
0
1
1
0
1
1
0
0
Third Address
1
0
1
1
0
0
0
1
Fourth Address
(1)
1
1
0
0
0
1
1
0
5297 tbl 15
Operation
(2)
OE
ZZ
I/O Status
Power
Read
L
L
Data Out
Active
Read
H
L
High-Z
Active
Write
X
L
High-Z – Data In
Active
Deselected
X
L
High-Z
Standby
Sleep Mode
X
H
High-Z
Sleep
5297 tbl 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V25761S200BGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V25761S200BQ | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V25761S200BQI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V25761S200PF | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V25761S200PFI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT71V25761S200PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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