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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V25761S200PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 23/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 526K |
| 代理商： | IDT71V25761S200PF |
6.42
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
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2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
fax: 408-492-8674
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-544-7726, x4033
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
12/31/99
Created new datasheet from71V2576 and 71V2578 datasheets
Added Industrial Temperature range offerings
Added 100pin TQFP Package DiagramOutline
Add capacitance table for BGA package; Add Industrial temperature to table; Insert note to Absolute
Max Ratings and Recommended Operating Temprature tables
Add new package offering, 13 x 15mm165 fBGA
Correct BG119 Package DiagramOutline
Add note reference to BG119 pinout
Add DNU note to BQ165 pinout
Update BG119 Package DiagramOutline Dimensions
Remove Prelimnary fromdatasheet
Add reference note to pin N5 in BQ165 pinout, reserved for JTAG,
TRST
Pg. 1, 4, 8, 19
Pg. 18
Pg. 4
04/04/00
06/01/00
Pg. 20
Pg. 7
Pg. 8
Pg. 20
07/15/00
10/25/00
Pg. 8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IDT71V25761S200PFI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
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參數(shù)描述 |
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| IDT71V25761S200PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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