- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377336 > IDT71V2577YS75BQI (Integrated Device Technology, Inc.) 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V2577YS75BQI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K的x 36256畝× 18 3.3同步SRAM的2.5VI / O的流量通過輸出脈沖計數(shù)器，單周期取消 |
| 文件頁數(shù)： | 9/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | IDT71V2577YS75BQI |
6.42
IDT71V2577, IDT71V2579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(1)
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 5%)
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
Figure 1. AC Test Load
AC Test Load
AC Test Conditions
(V
DDQ
= 2.5V)
NOTE:
1. The
LBO,
TMS, TDI, TCK, and
TRST
pins will be internally pulled to V
DD
and the ZZ pin will be internally pulled to V
SS
if they are not actively driven in the application.
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. At f = f
MAX,
inputs are cycling at the maximumfrequency of read cycles of 1/t
CYC
while
ADSC
= LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V
HD
= V
DDQ
- 0.2V, V
LD
= 0.2V. For other inputs V
HD
= V
DD
- 0.2V, V
LD
= 0.2V.
V
DDQ
/2
50
I/O
Z
0
= 50
4877d03
,
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
|
LI
|
Input Leakage Current
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|
LI
|
ZZ,
LBO
and J TAG Input Leakage Current
(1)
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
30
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
DDQ
, Device Deselected
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +6mA, V
DD
= Min.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -6mA, V
DD
= Min.
2.0
___
V
4877 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Conditions
7.5ns
8ns
8.5ns
Unit
Com'l Only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I
DD
Operating Power Supply Current
Device Selected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
IH
or < V
IL
, f = f
MAX
(2)
255
200
210
180
190
mA
I
SB1
CMOS Standby Power Supply
Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = 0
(2,3)
30
30
35
30
35
mA
I
SB2
Clock Running Power Supply
Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = f
MAX
(2,3)
90
85
95
80
90
mA
I
ZZ
Full Sleep Mode Supply Current
ZZ > V
HD
V
DD
= Max.
30
30
35
30
35
mA
4877 tbl 09
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Timng Reference Levels
AC Test Load
0 to
2.5V
2ns
(V
DDQ
/2)
(V
DDQ
/2)
See Figure 1
4877 tbl 10
1
2
3
4
20 30 50
100
200
tCD
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
80
5
6
4877d05
,
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V2577YS75PF | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect |
| IDT71V2577YS75PFI | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect |
| IDT71V2577YS80BG | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect |
| IDT71V2577YS80BGI | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect |
| IDT71V2577YS80BQ | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V2578S133BGGI | 制造商:INT-DEV 功能描述: |
| IDT71V30L25TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30L25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V30L25TFG | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30L25TFG8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。