參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V25781S166BGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 256K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 9/23頁(yè)
文件大小： 526K
代理商： IDT71V25781S166BGI
6.42
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(1)
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 5%)
Symbol
Parameter
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
Figure 1. AC Test Load
AC Test Load
AC Test Conditions
(V
DDQ
= 2.5V)
NOTE:
1. The
LBO
pin will be internally pulled to V
DD
if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to V
SS
if not actively driven.
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. At f = f
MAX,
inputs are cycling at the maximumfrequency of read cycles of 1/t
CYC
while
ADSC
= LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V
HD
= V
DDQ
- 0.2V, V
LD
= 0.2V. For other inputs V
HD
= V
DD
- 0.2V, V
LD
= 0.2V.
V
DDQ
/2
50
I/O
Z
0
= 50
5297 drw 06
,
1
2
3
4
20 30 50
100
200
5297 drw 07
,
(TyptCD
Capacitance (pF)
80
5
6
Test Conditions
Mn.
Max.
Unit
|
LI
|
Input Leakage Current
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|
LZZ
|
ZZ and
LBO
Input Leakage Current
(1)
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
30
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
DDQ
, Device Deselected
___
5
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= +6mA, V
DD
= Mn.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -6mA, V
DD
= Mn.
2.0
___
V
5297 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Conditions
200MHz
183MHz
166MHz
Unit
Com'l Only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I
DD
Operating Power Supply
Current
Device Selected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
IH
or < V
IL
, f = f
MAX
(2)
360
340
350
320
330
mA
I
SB1
CMOS Standby Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = 0
(2,3)
30
30
35
30
35
mA
I
SB2
Clock Running Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = f
MAX
(2,3)
130
120
130
110
120
mA
I
ZZ
Full Sleep Mode Supply
Current
ZZ > V
HD
V
DD
= Max.
30
30
35
30
35
mA
5297 tbl 09
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Timng Reference Levels
AC Test Load
0 to 2.5V
2ns
(V
DDQ
/2)
(V
DDQ
/2)
See Figure 1
5297 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V25781S166BQ 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V25781S166BQI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V25781S166PF 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V25781S166PFI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V25781S183BG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V2578S133BGGI 制造商:INT-DEV 功能描述:
IDT71V30L25TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L25TFG 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TFG8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*