參數(shù)資料
型號: IDT71V2578S133PF
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述: 256K X 18 CACHE SRAM, 4.2 ns, PQFP100
封裝: 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù): 7/22頁
文件大?。?/td> 282K
代理商: IDT71V2578S133PF
6.42
IDT71V2576, IDT71V2578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Top View
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to V
DD
, or connected to an input voltage
V
IH
, or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V
SS
, V
DD
or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
CE
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
ADV
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
GW
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
BWE
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
ZZ
(3)
U
V
DDQ
NC/TMS
(2)
NC/TDI
(2)
NC/TCK
(2)
NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
V
DDQ
4876 drw 04
V
DD
/ NC
(1)
NC
NC
,
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
7
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
CE
V
SS
NC
I/O
6
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
5
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
ADV
NC
I/O
4
H
I/O
11
NC
V
SS
GW
V
SS
I/O
3
NC
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
2
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
1
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
BWE
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
0
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
ZZ
(3)
U
V
DDQ
V
DDQ
4876 drw 05
NC
V
DD / NC(1)
NC
V
SS
V
SS
,
NC/TMS
(2)
NC/TDI
(2)
NC/TCK
(2)
NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2578YSA133BGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V2578YSA133BQ 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V2578YSA133BQI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V2578YSA133PF 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V2578YSA133PFI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V30L25TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L25TFG 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TFG8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L35TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI