參數(shù)資料
型號: IDT71V2579S75BG
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
中文描述: 256K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝: BGA-119
文件頁數(shù): 21/22頁
文件大?。?/td> 304K
代理商: IDT71V2579S75BG
6.42
IDT71V2577, IDT71V2579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Ordering Information
100-pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
S
Power
X
Speed
XX
Package
PF**
BG
BQ
IDT
XXX
75*
80
85
Access Time in Tenths of Nanoseconds
4877 drw 12
Device
Type
71V2577
71V2579
128K x 36 Flow-Through Burst Synchronous SRAM with 2.5V I/O
256K x 18 Flow-Through Burst Synchronous SRAM with 2.5V I/O
,
X
Process/
Temperature
Range
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Blank
I
*Commercial temperature range only.
** JTAG (SA version) is not available with 100 pin TQFP package
X
S
SA
Blank
Y
Standard Power
Standard Power with JTAG Interface
First Generation or current stepping
Second Generation die step
Package Information
100-Pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Information available on the IDT website
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2579S75BGI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579S75BQ 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579S75BQI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579S75PF 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579S75PFI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V30L25TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L25TFG 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TFG8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L35TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI