參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V2579SA85PFI
廠(chǎng)商： Integrated Device Technology, Inc.
元件分類(lèi)： 通用總線(xiàn)功能
英文描述： 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
中文描述： 128K的x 36256畝× 18 3.3同步SRAM的2.5VI / O的流量通過(guò)輸出脈沖計(jì)數(shù)器，單周期取消
文件頁(yè)數(shù)： 10/22頁(yè)
文件大?。?/td> 304K
代理商： IDT71V2579SA85PFI
6.42
IDT71V2577, IDT71V2579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table
(1,3)
NOTES:
1. L = V
IL
, H = V
IH
, X = Dont Care.
2.
OE
is an asynchronous input.
3. ZZ = low for this table.
Operation
Address
Used
CE
CS
0
CS
1
ADSP
ADSC
ADV
GW
BWE
BW
x
OE
(2)
CLK
I/O
Deselected Cycle, Power Down
None
H
X
X
X
L
X
X
X
X
X
↑
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
L
X
X
X
X
X
X
↑
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
L
X
L
X
X
X
X
X
X
↑
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
X
L
X
X
X
X
X
↑
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
L
X
X
L
X
X
X
X
X
↑
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
L
X
X
X
X
X
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
L
X
X
X
X
X
H
↑
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
H
X
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
H
↑
HI-Z
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
L
X
↑
D
IN
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
L
X
X
X
↑
D
IN
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
H
H
L
H
H
X
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
H
H
L
H
H
X
H
↑
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
H
H
L
H
X
H
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
H
H
L
H
X
H
H
↑
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
X
H
L
H
H
X
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
X
H
L
H
H
X
H
↑
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
X
H
L
H
X
H
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
X
H
L
H
X
H
H
↑
HI-Z
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
H
H
L
H
L
L
X
↑
D
IN
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
H
H
L
L
X
X
X
↑
D
IN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
X
H
L
H
L
L
X
↑
D
IN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
X
H
L
L
X
X
X
↑
D
IN
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
H
H
H
H
H
X
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
H
H
H
H
H
X
H
↑
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
H
H
H
H
X
H
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
H
H
H
H
X
H
H
↑
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
X
H
H
H
H
X
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
X
H
H
H
H
X
H
↑
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
X
H
H
H
X
H
L
↑
D
OUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
X
H
H
H
X
H
H
↑
HI-Z
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
H
H
H
H
L
L
X
↑
D
IN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
H
H
H
L
X
X
X
↑
D
IN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
X
H
H
H
L
L
X
↑
D
IN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
X
H
H
L
X
X
X
↑
D
IN
4877 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2579YS75BG 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS75BGI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS75BQ 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS75BQI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS75PF 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V30L25TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L25TFG 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TFG8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L35TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
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