參數(shù)資料
型號: IDT71V2579YS80BG
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
中文描述: 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝: BGA-119
文件頁數(shù): 15/22頁
文件大?。?/td> 304K
代理商: IDT71V2579YS80BG
6.42
IDT71V2577, IDT71V2579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 1 -
GW
Controlled
(1,2,3)
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相關PDF資料
PDF描述
IDT71V2579YS80BGI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS80BQ 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS80BQI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS80PF 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2579YS80PFI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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