- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377349 > IDT71V321L55PF (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V321L55PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP64 |
| 封裝： | TQFP-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | IDT71V321L55PF |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)當(dāng)前第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)
6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
CE
t
ACE
t
HZ
t
LZ
t
PD
VALID DATA
50%
OE
DATA
OUT
CURRENT
I
CC
I
SS
50%
3026 drw 07
(4)
(1)
(1)
(2)
(2)
(4)
t
LZ
t
HZ
t
AOE
t
PU
85#$)9/34$
!
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first,
OE
or
CE
.
3. R/
W
= V
IH
and the address is valid prior to or coincidental with
CE
transition LOW.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
,
t
AA
, and
t
BDD
.
85#$)9/34$
!
NOTES:
1. R/
W
= V
IH
,
CE
= V
IL
, and is
OE
= V
IL
. Address is valid prior to the coincidental with
CE
transition LOW.
2. t
BDD
delay is required only in the case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relationship to valid output data.
3. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
, and t
BDD
.
ADDRESS
DATA
OUT
t
RC
t
OH
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OH
DATA VALID
3026 drw 06
t
BDD
(2,3)
BUSY
OUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V321L55PFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321L55TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321L55TFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S25PF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V321L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V321L55TF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321L55TF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V321S25J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321S25J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。