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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V321L55PFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 的高速中斷3.3V的2K × 8雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | IDT71V321L55PFI |
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6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
11
34%54
%""$"")*#
!
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
71V321X25
71V421X25
Com'l
& Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l Only
71V321X55
71V421X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
25
____
25
____
45
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
25
____
25
____
45
ns
3026 tbl 12
85@"'$
!
3
INT
73#
INT
NOTES:
.
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either left or right port. Port
“
B
”
is the opposite fromport
“
A
”
.
2. See Interrupt Truth Table.
3. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
t
INS
ADDR
"A"
INT
"B"
INTERRUPT ADDRESS
t
WC
t
AS
R/
W
"A"
t
WR
3026 drw 14
(3)
(3)
(2)
(4)
t
RC
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
ADDR
"B"
OE
"B"
t
INR
INT
"A"
3026 drw 15
t
AS
(3)
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V321L55TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321L55TFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S25PF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S25TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V321L55TF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
| IDT71V321L55TF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V321S25J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
| IDT71V321S25J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
| IDT71V321S25PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI |
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