參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V321S35TFI
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
中文描述: 的高速中斷3.3V的2K × 8雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù): 11/14頁(yè)
文件大小: 129K
代理商: IDT71V321S35TFI
6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
11
34%54
%""$"")*#
!
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
71V321X25
71V421X25
Com'l
& Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l Only
71V321X55
71V421X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
25
____
25
____
45
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
25
____
25
____
45
ns
3026 tbl 12
85@"'$
!
3
INT
73#
INT
NOTES:
.
1. All timng is the same for left and right ports. Port
A
may be either left or right port. Port
B
is the opposite fromport
A
.
2. See Interrupt Truth Table.
3. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
t
INS
ADDR
"A"
INT
"B"
INTERRUPT ADDRESS
t
WC
t
AS
R/
W
"A"
t
WR
3026 drw 14
(3)
(3)
(2)
(4)
t
RC
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
ADDR
"B"
OE
"B"
t
INR
INT
"A"
3026 drw 15
t
AS
(3)
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V321S55J HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321S55JI HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321S55PF HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321S55PFI HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321S55TF HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V321S55J 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V321S55J8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V321S55PF 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V321S55PF8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
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