參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3556S133PFG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 4.2 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 6/28頁
文件大?。?/td> 1010K
代理商： IDT71V3556S133PFG
6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 256K x 18
Absolute Maximum Ratings
(1)
100 Pin TQFP Capacitance
(1)
(T
A
= +25° C, f = 1.0MHz)
NOTES:
1. Pins 14, 16 and 66 do not have to be connected directly to V
DD
as long as
the input voltage is
≥
V
IH
.
2. Pins 83 and 84 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
3. Pin 64 does not have to be connected directly to V
SS
as long as the input
voltage is
≤
V
IL
; on the latest die revision this pin supports ZZ (sleep
mode).
Top View
100 TQFP
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
DD
termnals only.
3. V
DDQ
termnals only.
4. Input termnals only.
5. I/O termnals only.
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supply has
reached its nomnal operating value. Power sequencing is not necessary;
however, the voltage on any input or I/O pin cannot exceed V
DDQ
during power
supply ramp up.
7. T
A
is the "instant on" case temperature.
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
Symbol
Rating
Commercial &
Industrial Values
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to +4.6
V
V
TERM
(3,6)
Termnal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V
DD
V
V
TERM
(4,6)
Termnal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V
DD
+0.5
V
V
TERM
(5,6)
Termnal Voltage with
Respect to GND
-0.5 to V
DDQ
+0.5
V
T
A
(7)
Commercial
Operating Temperature
-0 to +70
o
C
Industrial
Operating Temperature
-40 to +85
o
C
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-55 to +125
o
C
P
T
Power Dissipation
2.0
W
I
OUT
DC Output Current
50
mA
5281 tbl 06
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90
87 86 85 84 83 82 81
89 88
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
A
6
A
7
C
1
C
2
N
N
B
B
C
2
V
D
V
S
C
R
W
C
O
A
L
N
(
N
(
A
8
A
9
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
L
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
V
D
V
S
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
NC
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
I/O
P2
I/O
15
I/O
14
V
SS
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
V
SS
V
DD
V
DD
(1)
I/O
11
V
DD
(1)
I/O
10
V
DDQ
V
SS
I/O
9
I/O
8
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
NC
V
DDQ
V
SS
NC
I/O
P1
I/O
7
I/O
6
V
SS
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
V
SS
V
DD
(1)
V
DD
V
SS
/ZZ
(3)
I/O
3
I/O
2
V
DDQ
V
SS
I/O
1
I/O
0
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
5281 drw 02a
NC
NC
A
1
A
1
A
10
,
N
N
N
N
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
5
pF
C
I/O
I/O Capacitance
V
OUT
= 3dV
7
pF
5281 tbl 07
119 BGA Capacitance
(1)
(T
A
= +25° C, f = 1.0MHz)
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
7
pF
C
I/O
I/O Capacitance
V
OUT
= 3dV
7
pF
5281 tbl 07a
165 fBGA Capacitance
(1)
(T
A
= +25° C, f = 1.0MHz)
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
TBD
pF
C
I/O
I/O Capacitance
V
OUT
= 3dV
TBD
pF
5281 tbl 07b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3556S166BGG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S166PFG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S200BQG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S200PFG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556SA 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3556S133PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3556S133PFGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556S133PFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3556S133PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S133PFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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