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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3556S166BQGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | TV 6C 6#12 SKT WALL RECP |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 28/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3556S166BQGI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當(dāng)前第28頁
6.42
28
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
CORPORATE HEADQUARTERS
2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
fax: 408-492-8674
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-544-7726
Datasheet Document History
6/30/99
8/23/99
Updated to new format
Added Smart ZBT functionality
Added Note 4 and changed Pins 38, 42, and 43 to DNU
Changed U2–U6 to DNU
Added Smart ZBT AC Electrical Characteristics
Improved t
CD
and t
OE
(
MAX
) at 166MHz
Revised t
CHZ
(
MIN
) for f
≤
133 MHz
Revised t
OHZ
(
MAX
) for f
≤
133 MHz
Improved t
CH
, t
CL
for f
≤
166 MHz
Improved setup times for 100–200 MHz
Added BGA package diagrams
Added Datasheet Document History
Revised AC Electrical Characteristics table
Revised t
CHZ
to match t
CLZ
and t
CDC
at 133MHz and 100MHz
Removed Smart functionality
Added Industrial Temperature range offerings at the 100 to 166MHz speed grades.
Insert clarification note to Recommended Operating Temperature and Absolute Max
Ratings tables
Add BGA capacitance table
Add note to TQFP and BGA Pin Configurations; corrected typo in pinout
Add 100pinTQFP package DiagramOutline
Add new package offering, 13 x 15mm165 fBGA
Correct 119BGA Package DiagramOutline
Add ZZ sleep mode reference note to BG119, PK100 and BQ165 pinouts
Update BQ165 pinout
Update BG119 package diagramoutline dimensions
Remove Prelimnary status
Add note to pin N5 on BQ165, reserved for JTAG
TRST
Added JTAG "SA" version functionality
Updated pin configuration for the 119 BGA-reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36)
and P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
Adding "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
Pg. 4, 5
Pg. 6
Pg. 14
Pg. 15
Pg. 22
Pg. 24
Pg. 14
Pg. 15
10/4/99
12/31/99
04/30/00
Pg. 5, 6
Pg. 6
Pg. 5,6, 7
Pg. 21
05/26/00
Pg. 23
Pg. 5-8
Pg. 8
Pg. 23
07/26/00
10/25/00
Pg. 8
Pg. 1-8, 15,22,23,27
Pg. 7
1/24/02
9/30 /04
Pg. 27
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
ZBT
and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola Inc.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3556S166PFGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S200BGGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S200BQGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S200PFGI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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參數(shù)描述 |
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| IDT71V3556S166PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3556S166PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
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