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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V3556S166PFGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3556S166PFGI |
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6.42
14
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation with CHIP Enable Used
(1)
CEN
BW
x
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; = Dont Know; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
3. Device Outputs are ensured to be in High-Z after the first rising edge of clock upon power-up.
Write Operation with Chip Enable Used
(1)
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; = Dont Know; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
OE
I/O
(3)
Comments
n
X
X
L
H
L
X
X
Deselected.
n+1
X
X
L
H
L
X
X
Deselected.
n+2
A
0
H
L
L
L
X
X
Z
Address and Control meet setup
n+3
X
X
L
H
L
X
X
Z
Deselected or STOP.
n+4
A
1
H
L
L
L
X
L
Q
0
Address A
0
Read out. Load A
1
.
n+5
X
X
L
H
L
X
X
Z
Deselected or STOP.
n+6
X
X
L
H
L
X
L
Q
1
Address A
1
Read out. Deselected.
n+7
A
2
H
L
L
L
X
X
Z
Address and control meet setup.
n+8
X
X
L
H
L
X
X
Z
Deselected or STOP.
n+9
X
X
L
H
L
X
L
Q
2
Address A
2
Read out. Deselected.
5281 tbl 19
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
(3)
Comments
n
X
X
L
H
L
X
X
Deselected.
n+1
X
X
L
H
L
X
X
Deselected.
n+2
A
0
L
L
L
L
L
X
Z
Address and Control meet setup
n+3
X
X
L
H
L
X
X
Z
Deselected or STOP.
n+4
A
1
L
L
L
L
L
X
D
0
Address D
0
Write in. Load A
1
.
n+5
X
X
L
H
L
X
X
Z
Deselected or STOP.
n+6
X
X
L
H
L
X
X
D
1
Address D
1
Write in. Deselected.
n+7
A
2
L
L
L
L
L
X
Z
Address and control meet setup.
n+8
X
X
L
H
L
X
X
Z
Deselected or STOP.
n+9
X
X
L
H
L
X
X
D
2
Address D
2
Write in. Deselected.
5281 tbl 20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| IDT71V3556S166PFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556S166PFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556SA100BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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