參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3556SA100BGGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 11/28頁(yè)
文件大小： 1010K
代理商： IDT71V3556SA100BGGI
6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles
(2)
11
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
Read Operation
(1)
NOTES:
1.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
2. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(1)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Load read
n+1
X
X
H
X
L
X
X
X
Burst read
n+2
A
1
H
L
L
L
X
L
Q
0
Load read
n+3
X
X
L
H
L
X
L
Q
0+1
Deselect or STOP
n+4
X
X
H
X
L
X
L
Q
1
NOOP
n+5
A
2
H
L
L
L
X
X
Z
Load read
n+6
X
X
H
X
L
X
X
Z
Burst read
n+7
X
X
L
H
L
X
L
Q
2
Deselect or STOP
n+8
A
3
L
L
L
L
L
L
Q
2+1
Load write
n+9
X
X
H
X
L
L
X
Z
Burst write
n+10
A
4
L
L
L
L
L
X
D
3
Load write
n+11
X
X
L
H
L
X
X
D
3+1
Deselect or STOP
n+12
X
X
H
X
L
X
X
D
4
NOOP
n+13
A
5
L
L
L
L
L
X
Z
Load write
n+14
A
6
H
L
L
L
X
X
Z
Load read
n+15
A
7
L
L
L
L
L
X
D
5
Load write
n+16
X
X
H
X
L
L
L
Q
6
Burst write
n+17
A
8
H
L
L
L
X
X
D
7
Load read
n+18
X
X
H
X
L
X
X
D
7+1
Burst read
n+19
A
9
L
L
L
L
L
L
Q
8
Load write
5281 tbl 12
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
X
X
L
X
X
X
Clock Setup Valid
n+2
X
X
X
X
X
X
L
Q
0
Contents of Address A
0
Read Out
5281 tbl 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3556SA100BQGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556SA100PFGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556SA133BGGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556SA133BQG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556SA133BQGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3556SA100BGGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA100BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA100BGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA100BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556SA100BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
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