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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3556SA100PFG |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 128K的× 36，256 × 18 3.3同步ZBT SRAM的3.3V的I / O的脈沖計數(shù)器輸出流水線 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大小： | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3556SA100PFG |
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6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram
Recommended DC Operating
Conditions
NOTES:
1. V
IL
(mn.) = –1.0V for pulse width less than t
CYC
/2, once per cycle.
2. V
IH
(max.) = +6.0V for pulse width less than t
CYC
/2, once per cycle.
Clk
D
Q
D
Q
D
Q
Address A [0:17]
Control Logic
Address
Control
DI
DO
I
5281 drw 01b
Clock
Data I/O [0:15],
I/O P[1:2]
D
Q
C
Output Register
Mux
Sel
Gate
OE
CE
1, CE2,
CE
2
R/
W
CEN
ADV/
LD
BW
x
LBO
256x18 BIT
MEMORY ARRAY
,
JTAG
(SA Version)
TMS
TDI
TCK
(optional)
TDO
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
Core Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
V
DDQ
I/O Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
V
SS
Supply Voltage
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage - Inputs
2.0
____
V
DD
+0.3
V
V
IH
Input High Voltage - I/O
2.0
____
V
DDQ
+0.3
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
5281 tbl 04
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3556SA133BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556SA133PFG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558SA200BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558SA200BQG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558SA200PFG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3556SA133BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3556SA133BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3556SA133BGG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3556SA133BGG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3556SA133BGGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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