- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377342 > IDT71V3556SA100PFGI (Integrated Device Technology, Inc.) 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IDT71V3556SA100PFGI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 128K的× 36，256 × 18 3.3同步ZBT SRAM的3.3V的I / O的脈沖計數器輸出流水線 |
| 文件頁數： | 12/28頁 |
| 文件大小： | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3556SA100PFGI |
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6.42
12
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Burst Read Operation
(1)
CEN
BW
x
Burst Write Operation
(1)
Write Operation
(1)
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance..
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; = Dont Know; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
H
X
L
X
X
X
Clock Setup Valid, Advance Counter
n+2
X
X
H
X
L
X
L
Q
0
Address A
0
Read Out, Inc. Count
n+3
X
X
H
X
L
X
L
Q
0+1
Address A
0+1
Read Out, Inc. Count
n+4
X
X
H
X
L
X
L
Q
0+2
Address A
0+2
Read Out, Inc. Count
n+5
A
1
H
L
L
L
X
L
Q
0+3
Address A
0+3
Read Out, Load A
1
n+6
X
X
H
X
L
X
L
Q
0
Address A
0
Read Out, Inc. Count
n+7
X
X
H
X
L
X
L
Q
1
Address A
1
Read Out, Inc. Count
n+8
A
2
H
L
L
L
X
L
Q
1+1
Address A
1+1
Read Out, Load A
2
5281 tbl 14
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
L
L
L
L
L
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
X
X
L
X
X
X
Clock Setup Valid
n+2
X
X
X
X
L
X
X
D
0
Write to Address A
0
5281 tbl 15
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
L
L
L
L
L
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
H
X
L
L
X
X
Clock Setup Valid, Inc. Count
n+2
X
X
H
X
L
L
X
D
0
Address A
0
Write, Inc. Count
n+3
X
X
H
X
L
L
X
D
0+1
Address A
0+1
Write, Inc. Count
n+4
X
X
H
X
L
L
X
D
0+2
Address A
0+2
Write, Inc. Count
n+5
A1
L
L
L
L
L
X
D
0+3
Address A
0+3
Write, Load A
1
n+6
X
X
H
X
L
L
X
D
0
Address A
0
Write, Inc. Count
n+7
X
X
H
X
L
L
X
D
1
Address A
1
Write, Inc. Count
n+8
A
2
L
L
L
L
L
X
D
1+1
Address A
1+1
Write, Load A
2
5281 tbl 16
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IDT71V3556SA133BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3556SA133BGG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3556SA133BGG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3556SA133BGGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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