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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3558S133BGG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 21/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3558S133BGG |
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6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of
CS
Operation
(1,2,3,4)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3558S133PFG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558S166BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3558S166PFG | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 0.68uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: -20+80%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: Z5U; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
| IDT71V3558SA166PFG | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 75pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Tape & Reel; Qty per Container: 1500 |
| IDT71V3556S100BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3558S133BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S133BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S133BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S133BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S133PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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