參數(shù)資料
型號： IDT71V3558SA133BQGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 256K X 18 ZBT SRAM, 4.2 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 15/28頁
文件大小： 1010K
代理商： IDT71V3558SA133BQGI
6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V +/-5%)
15
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
AC Test Conditions
(V
DDQ
= 3.3V)
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(1)
(V
DD
= 3.3V +/-5%)
Figure 1. AC Test Load
AC Test Loads
NOTE:
1. The
LBO,
TMS, TDI, TCK and
TRST
pins will be internally pulled to V
DD
and ZZ will be internally pulled if they are not actively driven in the application.
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. At f = f
MAX,
inputs are cycling at the maximumfrequency of read cycles of 1/t
CYC
; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V
HD
= V
DDQ
– 0.2V, V
LD
= 0.2V. For other inputs V
HD
= V
DD
– 0.2V, V
LD
= 0.2V.
V
DDQ
/2
50
I/O
Z
0
= 50
5281 drw 04
,
1
2
3
4
20 30 50
100
200
tCD
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
80
5
6
5281 drw 05
,
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
|
LI
|
Input Leakage Current
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|
LI
|
LBO, JTAG and ZZ Input Leakage Current
(1)
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
30
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
DDQ
, Device Deselected
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +8mA, V
DD
= Min.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -8mA, V
DD
= Min.
2.4
___
V
5281 tbl 21
Symbol
Parameter
Test Conditions
200MHz
166MHz
133MHz
100MHz
Unit
Coml Only
Coml
Ind
Coml
Ind
Coml
Ind
I
DD
Operating Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
ADV/LD = X, V
DD
= Max.,
V
IN
> V
IH
or < V
IL
, f = f
MAX
(2)
400
350
360
300
310
250
255
mA
I
SB1
CMOS Standby
Power Supply Current
Device Deselected, Outputs Open,
V
DD
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f
= 0
(2,3)
40
40
45
40
45
40
45
mA
I
SB2
Clock Running Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open,
V
DD
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f
= f
MAX
(2.3)
130
120
130
110
120
100
110
mA
I
SB3
Idle Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
CEN > V
IH
, V
DD
= Max.,
V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = f
MAX
(2,3)
40
40
45
40
45
40
45
mA
5281 tbl 22
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Timng Reference Levels
AC Test Load
0 to 3V
2ns
1.5V
1.5V
See Figure 1
5281 tbl 23
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PDF描述
IDT71V3558SA133PFG Circular Connector; No. of Contacts:41; Series:D38999; Body Material:Metal; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:21; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:21-41
IDT71V3558SA133PFGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3558SA166BGG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3558SA166BGGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S200BGG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
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參數(shù)描述
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IDT71V3558SA166BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3558SA166BQG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
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