參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3558SA200BGG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 256K X 18 ZBT SRAM, 3.2 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
文件頁數(shù)： 13/28頁
文件大?。?/td> 1010K
代理商： IDT71V3558SA200BGG
6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation with Clock Enable Used
(1)
CEN
BW
x
13
Write Operation with Clock Enable Used
(1)
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock n+1 Ignored
n+2
A
1
H
L
L
L
X
X
X
Clock Valid
n+3
X
X
X
X
H
X
L
Q
0
Clock Ignored. Data Q
0
is on the bus.
n+4
X
X
X
X
H
X
L
Q
0
Clock Ignored. Data Q
0
is on the bus.
n+5
A
2
H
L
L
L
X
L
Q
0
Address A
0
Read out (bus trans.)
n+6
A
3
H
L
L
L
X
L
Q
1
Address A
1
Read out (bus trans.)
n+7
A
4
H
L
L
L
X
L
Q
2
Address A
2
Read out (bus trans.)
5281 tbl 17
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
L
L
L
L
L
X
X
Address and Control meet setup.
n+1
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock n+1 Ignored.
n+2
A
1
L
L
L
L
L
X
X
Clock Valid.
n+3
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock Ignored.
n+4
X
X
X
X
H
X
X
X
Clock Ignored.
n+5
A
2
L
L
L
L
L
X
D
0
Write Data D
0
n+6
A
3
L
L
L
L
L
X
D
1
Write Data D
1
n+7
A
4
L
L
L
L
L
X
D
2
Write Data D
2
5281 tbl 18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3558SA200BQG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3558SA200PFG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S100PFG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S133BGG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
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參數(shù)描述
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IDT71V3558SA200BQG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3558SA200BQGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3558SA200BQGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3558XS133PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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