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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3558SA200BQG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 3.2 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 8/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1010K |
| 代理商： | IDT71V3558SA200BQG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁當(dāng)前第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
6.42
8
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration - 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
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(2)
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CE1
BW
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ADV/
LD
NC
(2)
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NC
B
NC
A
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BW
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BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(2)
A
9
NC
(2)
C
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P3
NC
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DDQ
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SS
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SS
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SS
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DDQ
NC
I/O
P2
D
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V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
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E
I/O
19
I/O
18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
F
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I/O
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V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
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DD
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I/O
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G
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DDQ
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SS
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SS
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SS
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H
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(1)
V
DD
(1)
NC
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SS
V
SS
V
SS
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DD
NC
NC
NC/ZZ
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J
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DDQ
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DD
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DD
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28
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DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
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I/O
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M
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V
DDQ
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DD
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SS
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SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
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A
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A
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NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
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A
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5281 tbl 25
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(2)
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CE
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ADV
/LD
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NC
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6
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R/
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OE
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C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
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NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
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DDQ
V
DD
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SS
V
SS
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DD
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NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
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NC
I/O
6
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I/O
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DDQ
V
DD
V
SS
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SS
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SS
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DD
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NC
I/O
5
G
NC
I/O
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DDQ
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DD
V
SS
V
SS
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DD
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NC
I/O
4
H
V
DD
(1)
V
DD
(1)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(5)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(3,4)
NC
V
DD
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(2)
A
5
A
2
NC/TDI
(3)
A
1
NC/TDO
(3)
A
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A
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NC
R
LBO
NC
(2)
A
4
A
3
NC/TMS
(3)
A
0
NC/TCK
(3)
A
12
A
13
A
16
A
17
5281 tbl 25a
NOTES:
1. H1, H2, and N7 do not have to be directly connected to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
2. A9, B9, B11, A1, R2 and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144Mand 288Mrespectively.
3. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
5. Pin H11 does not have to be connected directly to V
SS
as long as the input voltage is
≤
V
IL
; on the latest die revision this pin supports ZZ (sleep mode).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3558SA200PFG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S100PFG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S133BGG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3556S133PFG | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3558SA200BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3558SA200BQGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558SA200BQGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3558XS133PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558XS133PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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