參數(shù)資料
型號： IDT71V3559SA
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述： 128K的× 36，256 × 18，3.3V的同步ZBT SRAM的3.3V的I / O的脈沖計數(shù)器，流量，通過輸出
文件頁數(shù)： 8/28頁
文件大?。?/td> 996K
代理商： IDT71V3559SA
6.42
8
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
1
2
3
NOTES:
1. H1 and N7 do not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL.
2. H2 does not have to be directly connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
3. A9, B9, B11, A1, R2, and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144M and 288Mrespectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
6. Pin H11 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(3)
A
7
CE
1
BW
3
BW
2
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
NC
B
NC
A
6
CE
2
BW
4
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(3)
A
9
NC
(3)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
16
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
14
E
I/O
19
I/O
18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
F
I/O
21
I/O
20
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
11
I/O
10
G
I/O
23
I/O
22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
H
V
SS
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
25
I/O
24
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
7
I/O
6
K
I/O
27
I/O
26
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
L
I/O
29
I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
I/O
2
M
I/O
31
I/O
30
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(3)
A
5
A
2
NC/TDI
(4)
A
1
NC/TDO
(4)
A
10
A
13
A
14
NC
R
LBO
NC
(3)
A
4
A
3
NC/TMS
(4)
A
0
NC/TCK
(4)
A
11
A
12
A
15
A
16
5282tbl 25
4
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6
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9
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A
NC
(3)
A
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CE
1
BW
2
NC
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
A
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B
NC
A
6
CE
2
NC
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(3)
A
9
NC
(3)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
Vss
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(3)
A
5
A
2
NC/TDI
(4)
A
1
NC/TDO
(4)
A
11
A
14
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NC
R
LBO
NC
(3)
A
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A
3
NC/TMS
(4)
A
0
NC/TCK
(4)
A
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A
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5282 tbl 25a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3559SA75BQI Ceramic Conformally Coated / Radial &apos;Standard &amp; High Voltage Golden Max&apos;; Capacitance [nom]: 82pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 500V; Capacitance Tolerance: +/-5%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200&quot; Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300&quot; x 0.390&quot; x 0.200&quot;; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V3559SA75PF 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA75PFI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA80BG 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA80BGI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3559SA75BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA75BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA75BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA75BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3559SA75BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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