參數(shù)資料
型號: IDT71V35761S183BGI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: CHOKE COIL 12UH 3700MA SMD
中文描述: 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA119
封裝: BGA-119
文件頁數(shù): 19/24頁
文件大?。?/td> 741K
代理商: IDT71V35761S183BGI
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V35761SA183BGI CHOKE COIL 15UH 3100MA SMD
IDT71V35781SA183BGI CHOKE COIL 18UH 3000MA SMD
IDT71V35761YSA183BGI CHOKE COIL 180UH 930MA SMD
IDT71V35781YSA183BGI CHOKE COIL 22UH 2700MA SMD
IDT71V35761YS183PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V35761S183BGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V35761S183BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V35761S183BQ8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V35761S183BQG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V35761S183BQG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040