參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V35761SA200BG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 24/24頁(yè)
文件大?。?/td> 741K
代理商： IDT71V35761SA200BG
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PDF描述
IDT71V35761SA200BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761SA200BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761SA200BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35781S200BQ 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35781S200BQI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
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參數(shù)描述
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