參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V35761YSA183BG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： CHOKE COIL 1000UH 410MA SMD
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 19/24頁(yè)
文件大?。?/td> 741K
代理商： IDT71V35761YSA183BG
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PDF描述
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參數(shù)描述
IDT71V35761YSA183BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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