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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3579SA75BGG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 5/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | IDT71V3579SA75BGG |
6.42
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
5
Pin Configuration 128K x 36
100 TQFP
Top View
NOTES:
1. Pin 14 does not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL
.
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90
87 86 85 84 83 82 81
89 88
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2
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C
1
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D
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O
A
A
A
A
8
A
9
NC
V
SS
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
1
N
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1
A
1
A
1
A
1
A
1
V
D
V
S
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
I/O
P4
I/O
31
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V
DDQ
V
SS
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SS
V
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V
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(1)
V
DD
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DDQ
V
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V
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V
SS
V
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V
SS
NC
V
DD
ZZ
(2)
I/O
7
I/O
6
V
DDQ
V
SS
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5
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V
SS
V
DDQ
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1
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0
I/O
P1
A
1
5280 drw 02a
,
N
N
N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3579S85BGG | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579S85BGGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579S85BQGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579S85PFG | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579S85PFGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3579SA75BQG | 制造商:INT_DEV_TECH 功能描述: |
| IDT71V3579YS65PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 65NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3579YS85PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3579YS85PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416L10BE | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
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