參數(shù)資料
型號： IDT71V3579YSA75BGGI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K的米鼠36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的流量，通過輸出脈沖計(jì)數(shù)器，單周期取消
文件頁數(shù)： 18/22頁
文件大?。?/td> 521K
代理商： IDT71V3579YSA75BGGI
6.42
18
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
is HIGH and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. For read cycles,
ADSP
and
ADSC
function identically and are therefore interchangable.
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
,
BWE
,
BW
x
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
OUT
OE
Av
Aw
Ax
Ay
Az
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
5280 drw 10
,
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
CE
,
CS
1
CS
0
ADDRESS
ADSC
DATA
IN
Av
Aw
Ax
Az
Ay
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Az)
(Ay)
5280 drw 11
,
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV
and
OE
are HIGH, and
LBO
is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. Although only
GW
writes are shown, the functionality of
BWE
and
BW
x together is the same as
GW
.
4. For write cycles,
ADSP
and
ADSC
have different limtations.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3579YSA75BQG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579YSA75BQGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579YSA75PFGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V416S10BEG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416S10BEGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
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參數(shù)描述
IDT71V416L10BE 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V416L10BE8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
IDT71V416L10BEG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V416L10BEG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V416L10BEGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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