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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3579YSA75BQGI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K的米鼠36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的流量，通過輸出脈沖計數(shù)器，單周期取消 |
| 文件頁數(shù)： | 19/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | IDT71V3579YSA75BQGI |
6.42
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
19
JTAG Interface Specification (SA Version only)
TCK
Device Inputs
(1)
/
TDI/TMS
Device Outputs
(2)
/
TDO
TRST
(
3)
t
JCD
t
JDC
t
JRST
t
JS
t
JH
t
JCYC
t
JRSR
t
JF
t
JCL
t
JR
t
JCH
M5280 drw 01
x
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Units
t
J CYC
JTAG Clock Input Period
100
____
ns
t
JCH
JTAG Clock HIGH
40
____
ns
t
JCL
JTAG Clock Low
40
____
ns
t
JR
JTAG Clock Rise Time
____
5
(1)
ns
t
JF
JTAG Clock Fall Time
____
5
(1)
ns
t
JRST
JTAG Reset
50
____
ns
t
J RSR
JTAG Reset Recovery
50
____
ns
t
JCD
JTAG Data Output
____
20
ns
t
JDC
JTAG Data Output Hold
0
____
ns
t
JS
JTAG Setup
25
____
ns
t
JH
JTAG Hold
25
____
ns
I5280 tbl 01
Register Name
Bit Size
Instruction (IR)
4
Bypass (BYR)
1
JTAG Identification (JIDR)
32
Boundary Scan (BSR)
Note (1)
I5280 tbl 03
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS and
TRST
.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
3. During power up,
TRST
could be driven low or not be used since the JTAG circuit resets automatically.
TRST
is an optional JTAG reset.
NOTE:
1. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available
by contacting your local IDT sales representative.
JTAG AC Electrical
Characteristics
(1,2,3,4)
Scan Register Sizes
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. AC Test Load (Fig. 1) on external output signals.
3. Refer to AC Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at any speed specified in this datasheet.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3579YSA75PFGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V416S10BEG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10BEGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10PHG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10PHGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V416L10BE | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416L10BE8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA |
| IDT71V416L10BEG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V416L10BEG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416L10BEGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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