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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V416L10BEGI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| 中文描述： | 3.3V的CMOS靜態(tài)RAM 4梅格（256K x 16位） |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | IDT71V416L10BEGI |
6.42
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configurations - S OJ /T S OP
*Pin 28 can either be a NC or connected to Vss
Top V iew
Pin Descriptions
SOJ Capacitance
(T
A
= +25°C, f = 1.0MHz)
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
I/O 7
WE
A9
A8
A7
A6
A5
I/O 6
I/O 5
I/O 4
V
SS
V
DD
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
CS
A4
A3
A2
A1
A0
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A16
A15
OE
BHE
BLE
I/O 15
I/O 14
I/O 13
I/O 12
V
SS
V
DD
I/O 11
I/O 10
I/O 9
I/O 8
NC*
A14
A13
A12
A11
A10
A17
SO44-1
SO44-2
3624 drw 02
A
0
- A
17
Address Inputs
Input
CS
Chip Select
Input
WE
Write Enable
Input
OE
Output Enable
Input
BHE
High Byte Enable
Input
BLE
Low Byte Enable
Input
I/O
0
- I/O
15
Data Input/Output
I/O
V
DD
3.3V Power
Pwr
V
SS
Ground
Gnd
3624 tbl 01
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
7
pF
C
I/O
I/O Capacitance
V
OUT
= 3dV
8
pF
3624 tbl 02
1
2
3
4
5
6
A
BLE
OE
A
0
A
1
A
2
NC
B
I/O
0
BHE
A
3
A
4
CS
I/O
8
C
I/O
1
I/O
2
A
5
A
6
I/O
10
I/O
9
D
V
SS
I/O
3
A
17
A
7
I/O
11
V
DD
E
V
DD
I/O
4
NC
A
16
I/O
12
V
SS
F
I/O
6
I/O
5
A
14
A
15
I/O
13
I/O
14
G
I/O
7
NC
A
12
A
13
WE
I/O
15
H
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
3624 tbl 11
Pin Configurations - 48 BGA
48 BGA Capac itanc e
(T
A
= +25°C, f = 1.0MHz)
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
6
pF
C
I/O
I/O Capacitance
V
OUT
= 3dV
7
pF
3624 tbl 02b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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