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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V416L10PHG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Power Resistor; Series:MP900; Resistance:2kohm; Resistance Tolerance:+/- 1 %; Power Rating:30W; Voltage Rating:250V; Temperature Coefficient:-20 to +80 ppm; Package/Case:TO-220; Leaded Process Compatible:Yes |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | IDT71V416L10PHG |
6.42
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
9
CORPORATE HEADQUARTERS
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Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
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www.idt.com
for Tech Support:
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800-544-7726
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Datasheet Doc ument History
08/5/99
Updated to new format
Revised footnote for t
CW
on Write Cycle No. 1 diagram
Added Industrial temperature range offering
Added Datasheet Document History
Changed note to Write cycle No. 1 according to footnotes
Add 48 ball grid array package offering
Correct TTL to LVTTL
Updated TBD information for the 48 BGA Capacitance table
Added "Die Revision" to ordering information
Updated note, L10 speed grade commercial temperature only and updated die stepping fromYF to Y.
Updated ordering information. Refer to 71V416YS and 71V416YL datasheet for latest generation die
step.
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
Pg 6
Pg. 1–9
Pg. 9
Pg. 6
08/31/99
03/24/00
08/10/00
Pg. 1
Pg. 2
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 8
09/11/ 02
11/26/02
07/31/03
10/13/03
01/30/04
Pg. 8
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IDT71V416L10PHGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
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