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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V416L12BEGI |
| 廠(chǎng)商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 9 X 9 MM, BGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | IDT71V416L12BEGI |
6.42
IDT71V416S, IDT71V416L, 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
T iming Waveform of Write Cycle No. 2 (
CS
Controlled T iming)
(1,3)
NOTES:
1. A write occurs during the overlap of a LOW
CS
, LOW
BHE
or
BLE
, and a LOW
WE
.
2. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
3. If the
CS
LOW or
BHE
and
BLE
LOW transition occurs simultaneously with or after the
WE
LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.
T iming Waveform of Write Cycle No. 3
(
BHE
,
BLE
Controlled T iming)
(1,3)
ADDRESS
CS
DATA
IN
3624 drw 09
DATA
IN
VALID
t
WC
t
AS
(2)
t
CW
t
WR
WE
t
AW
DATA
OUT
t
DW
t
DH
BHE, BLE
t
BW
t
WP
ADDRESS
CS
DATA
IN
3624 drw 10
DATA
IN
VALID
t
WC
t
AS
(2)
t
CW
t
WR
WE
t
AW
DATA
OUT
t
DW
t
DH
BHE, BLE
t
BW
t
WP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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