參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V416YS12BEGI
廠(chǎng)商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
中文描述: 256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48
封裝: 9 X 9 MM, BGA-48
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大小: 95K
代理商: IDT71V416YS12BEGI
6.42
8
IDT71V416VS, IDT71V416VL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Ordering Information
X
Power
XX
Speed
XXX
Package
X
Process/
Temperature
Range
Blank
I
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Y
PH
BE
44-pin, 400-mil SOJ (SO44-1)
44-pin TSOP Type II (SO44-2)
48 Ball Grid Array
10*
12
15
71V416
Device
Type
IDT
Speed in nanoseconds
6478 drw 11a
* Commercial only for low power 10ns (L10) speed grade.
X
V die stepping
V
S
L
Standard Power
Low Power
X
G
Restricted hazardous
substance device
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V416YS12PHGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416YS12YG 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
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IDT71V416YS15BEGI 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V421L35PF HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V416YS12PH 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
IDT71V416YS12PHG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤(pán)
IDT71V416YS12PHG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤(pán)
IDT71V416YS12PHGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V416YS12PHGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤(pán)