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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V421L55J |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQCC52 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-52 |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IDT71V421L55J |
6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
11
34%54
%""$"")*#
!
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
71V321X25
71V421X25
Com'l
& Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l Only
71V321X55
71V421X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
25
____
25
____
45
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
25
____
25
____
45
ns
3026 tbl 12
85@"'$
!
3
INT
73#
INT
NOTES:
.
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either left or right port. Port
“
B
”
is the opposite fromport
“
A
”
.
2. See Interrupt Truth Table.
3. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
t
INS
ADDR
"A"
INT
"B"
INTERRUPT ADDRESS
t
WC
t
AS
R/
W
"A"
t
WR
3026 drw 14
(3)
(3)
(2)
(4)
t
RC
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
ADDR
"B"
OE
"B"
t
INR
INT
"A"
3026 drw 15
t
AS
(3)
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V421L55JI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421L55PF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421L55PFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421L55TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421L55TFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT71V424L10PH8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V424L10PHG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V424L10PHG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V424L10PHGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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