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參數(shù)資料

型號：	IDT7201LA50P
廠商：	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類：	DRAM
英文描述：	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
中文描述：	512 X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
封裝：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
文件頁數(shù)：	4/14頁
文件大小：	152K
代理商：	IDT7201LA50P

第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁

5.03

4

IDT7200/7201A/7202A CMOS ASYNCHRONOUS FIFO

256 x 9, 512 x 9 and 1K x 9

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(1)

(Commercial: V

CC

= 5.0V

±

10%, T

A

= 0

°

C to +70

°

C; Military: V

CC

= 5.0V

±

10%, T

A

= –55

°

C to +125

°

C)

Commercial

7200L12

7201LA12

7202LA12

Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.

—

50

—

40

20

—

25

—

—

12

—

15

8

—

10

—

12

—

15

—

3

—

5

—

3

—

5

—

5

—

5

—

—

12

—

15

20

—

25

—

12

—

15

—

8

—

10

—

9

—

11

—

0

—

0

—

20

—

25

—

12

—

15

—

12

—

15

—

8

—

10

—

20

—

25

—

12

—

15

—

12

—

15

—

8

—

10

—

—

12

—

25

—

17

—

25

—

20

—

25

—

12

—

15

—

14

—

15

12

—

15

—

—

12

—

15

—

14

—

15

—

17

—

25

—

17

—

25

12

—

15

—

—

12

—

15

—

12

—

15

12

—

15

—

8

—

10

—

8

—

10

—

Com'l & Mil.

7200L20

7201LA20

7202LA20

Com'l

7200L25

7201LA25

7202LA25

Military

7200L30

7201LA30

7202LA30

Min.

—

40

—

10

30

5

5

5

—

40

30

10

18

0

40

30

30

10

40

30

30

10

—

—

—

—

—

30

—

—

—

—

30

—

—

30

10

10

Com'l

7200L35

7201LA35

7202LA35

Min.

—

45

—

10

35

5

10

5

—

45

35

10

18

0

45

35

35

10

45

35

35

10

—

—

—

—

—

35

—

—

—

—

35

—

—

35

10

10

7200L15

7201LA15

7202LA15

Symbol Parameter

t

S

Shift Frequency

t

RC

Read Cycle Time

t

A

Access Time

t

RR

Read Recovery Time

t

RPW

Read Pulse Width

(2)

t

RLZ

Read Pulse Low to Data Bus at Low Z

(3)

t

WLZ

Write Pulse High to Data Bus at Low Z

(3, 4)

t

DV

Data Valid from Read Pulse High

t

RHZ

Read Pulse High to Data Bus at High Z

(3)

t

WC

Write Cycle Time

t

WPW

Write Pulse Width

(2)

t

WR

Write Recovery Time

t

DS

Data Set-up Time

t

DH

Data Hold Time

t

RSC

Reset Cycle Time

t

RS

Reset Pulse Width

(2)

t

RSS

Reset Set-up Time

(3)

t

RSR

Reset Recovery Time

t

RTC

Retransmit Cycle Time

t

RT

Retransmit Pulse Width

(2)

t

RTS

Retransmit Set-up Time

(3)

t

RTR

Retransmit Recovery Time

t

EFL

Reset to Empty Flag Low

t

HFH,FFH

Reset to Half-Full and Full Flag High

t

RTF

Retransmit Low to Flags Valid

t

REF

Read Low to Empty Flag Low

t

RFF

Read High to Full Flag High

t

RPE

Read Pulse Width after

EF

High

t

WEF

Write High to Empty Flag High

t

WFF

Write Low to Full Flag Low

t

WHF

Write Low to Half-Full Flag Low

t

RHF

Read High to Half-Full Flag High

t

WPF

Write Pulse Width after

FF

High

t

XOL

Read/Write to

XO

Low

t

XOH

Read/Write to

XO

High

t

XI

XI

Pulse Width

(2)

t

XIR

XI

Recovery Time

t

XIS

XI

Set-up Time

Max.

25

—

30

—

—

—

—

—

20

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

40

40

40

30

30

—

30

30

40

40

—

30

30

—

—

—

Max. Unit

22.2 MHz

—

35

—

—

—

—

—

20

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

45

45

45

30

30

—

30

30

45

45

—

35

35

—

—

—

—

30

—

10

20

5

5

5

—

30

20

10

12

0

30

20

20

10

30

20

20

10

—

—

—

—

—

20

—

—

—

—

20

—

—

20

10

10

33.3

—

20

—

—

—

—

—

15

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

30

30

30

20

20

—

20

20

30

30

—

20

20

—

—

—

—

35

—

10

25

5

5

5

—

35

25

10

15

0

35

25

25

10

35

25

25

10

—

—

—

—

—

25

—

—

—

—

25

—

—

25

10

10

28.5

—

25

—

—

—

—

—

18

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

35

35

35

25

25

—

25

25

35

35

—

25

25

—

—

—

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

NOTES:

1. Timings referenced as in AC Test Conditions.

2. Pulse widths less than minimum value are not allowed.

2679 tbl 06

3. Values guaranteed by design, not currently tested.

4. Only applies to read data flow-through mode.

相關PDF資料	PDF描述
IDT7201LA65D	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
IDT7201LA65DB	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
IDT7201LA65J	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
IDT7201LA65L	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
IDT7201LA65LB	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9

相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
IDT7201LA50SO	功能描述:IC MEM FIFO 512X9 50NS 28-SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - FIFO 系列:7200 標準包裝:80 系列:7200 功能:同步存儲容量:18.4K（1K x 18）數(shù)據(jù)速率:- 訪問時間:10ns 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:64-LQFP 供應商設備封裝:64-TQFP（10x10）包裝:托盤其它名稱:72225LB10TF
IDT7201LA50SO8	功能描述:IC MEM FIFO 512X9 50NS 28-SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - FIFO 系列:7200 標準包裝:80 系列:7200 功能:同步存儲容量:18.4K（1K x 18）數(shù)據(jù)速率:- 訪問時間:10ns 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:64-LQFP 供應商設備封裝:64-TQFP（10x10）包裝:托盤其它名稱:72225LB10TF
IDT7201LA50TDB	制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC MEM FIFO 512X9 50NS 28TCERDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC MEM FIFO 512X9 50NS 28-PDIP
IDT7201LA50TP	功能描述:IC MEM FIFO 512X9 50NS 28-PDIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - FIFO 系列:7200 標準包裝:80 系列:7200 功能:同步存儲容量:18.4K（1K x 18）數(shù)據(jù)速率:- 訪問時間:10ns 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:64-LQFP 供應商設備封裝:64-TQFP（10x10）包裝:托盤其它名稱:72225LB10TF
IDT7201LA80DB	制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC MEM FIFO 512X9 ASYNC 28CDIP 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO, 512 x 9, Asynchronous, 28 Pin, Ceramic, DIP

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